Osram amplia produção de LEDs de alto desempenho
Ao expandir a escala das duas fábricas de chips, a Osram Opto Semiconductors também as atualizou para bases de fabricação de wafers de 6 polegadas, aumentando significativamente a produção. Entre eles, a base de Penang na Malásia está construindo um edifício de produção, enquanto a base de Regensburg na Alemanha está redistribuindo a planta existente. Ambas as bases adotarão novas tecnologias de fabricação e introduzirão wafers de 6 polegadas para substituir os atuais wafers de 4 polegadas. Depois de tomar essas medidas, até o final de 2012, espera-se que a saída de chips LED brancos dobre.
Por meio desta série de medidas, a Osram Opto Semiconductors aproveitará o potencial de crescimento do mercado internacional de LED para ampliar a capacidade de produção de suas duas bases de fabricação de chips em Regensburg e Penang, consolidando ainda mais sua posição de liderança no mercado internacional. A fábrica de chips Penang foi aberta há menos de dois anos, e agora tem um bom momento para expandir e atualizar para uma base de fabricação de wafers de 6 polegadas. A área total da fábrica subirá para 25.000 metros quadrados até 2012 e 400 novos empregos serão adicionados. No site de Regensburg, o espaço disponível será re-planejado, e a produção do InGaN (Indium Gallium Nitreto) será gradualmente melhorada já no verão de 2011.
Aldo Kamper, CEO da Osram Opto Semiconductors, disse: "Ao expandir a capacidade de produção de chips InGaN de alto desempenho, continuamos a consolidar nossa posição de mercado. O mercado de LED tem grande potencial de crescimento em muitas áreas de aplicação diferentes, e continuaremos a usá-lo. Essa força motriz continua a crescer. OsRAM Opto Semiconductors é um importante link na cadeia de valor agregado da tecnologia LED da OSRAM."
Essa expansão de capacidade afetará principalmente os chips InGaN usando película fina e tecnologia UX:3, necessária para a produção de LEDs brancos. No futuro, esses chips serão fabricados em wafers de 6 polegadas desde o início, em vez de serem baseados nos atuais wafers de diâmetro de 4 polegadas.
