Materiais semicondutores comumente usados para fazer LEDs
A fonte de luz do LED é junção PN, como é feita? Quais são os materiais semicondutores comumente usados para fazer LEDs?
A estrutura essencial de um diodo emissor de luz é uma junção PN semicondutora. Quando uma tensão direta é aplicada à junção PN, os portadores minoritários são injetados e a recombinação dos portadores minoritários é o mecanismo de trabalho do diodo emissor de luz. A junção PN refere-se a uma estrutura com regiões P e N adjacentes em um único cristal. Geralmente é formado por difusão, implantação de íons ou crescimento em um cristal de um tipo de condutividade para produzir uma camada fina de outro tipo de condutividade. camada é feita. Se o LED azul de carbeto de silício foi feito por implantação iônica, GaAs, GaAs0.60P0.40/GaAs{{10} }.35P0.65: N/GaP, GaAs0.15P0.85: N/GaP, GaP: ZnO/GaP foram feitos pelo método de difusão LEDs infravermelhos, vermelhos, laranja, amarelos, vermelhos, enquanto GaAlAs, InGaN, InGaAlP ultra-alto LEDs de brilho são todos feitos de junções de crescimento, GaAs, GaP:ZnO/GaP e GaP:N/GaP As junções LEDPN também são feitas com junções de crescimento. Comparado com o método de difusão e o método de implantação iônica, a junção de crescimento é geralmente supercompensada para fazer uma junção PN, e as impurezas inúteis são demais, resultando em uma diminuição na qualidade do cristal, um aumento nos defeitos e um aumento no uso de recombinação não radiativa, resultando em uma diminuição da eficiência luminosa.
Os materiais semicondutores comumente usados para fabricar LEDs incluem principalmente materiais semicondutores compostos III-V, como arseneto de gálio, fosfeto de gálio, arseneto de gálio e alumínio, fósforo de arseneto de gálio, nitreto de índio gálio, fósforo de índio gálio alumínio, etc., bem como composto do grupo IV semicondutores. Carboneto de silício, seleneto de zinco composto do grupo II-VI, etc.
